【導讀】美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會在針對英諾賽科的專利侵權案中做出裁決，裁定英飛凌勝訴；ITC下令對英諾賽科在美國銷售的氮化鎵產品實施進口及銷售禁令；此項裁決再次凸顯了英飛凌行業領先專利組合的價值【2026年5月8日，德國慕尼黑訊】美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會維持了其于2025年12月作出的初步裁定，確認英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項氮化鎵（GaN）技術專利，并下令對英諾賽科實施進口和銷售禁令。ITC委員會的最終裁決及其頒布的相關禁令仍需經過為期60天的美國總統審查期后生效。
英飛凌300mm GaN技術
英飛凌科技高級副總裁、氮化鎵系統業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：“此項裁決再次印證了英飛凌在知識產權方面的堅實基礎，也彰顯了我們堅決捍衛專利組合、維護市場公平競爭的決心和承諾。憑借業界領先的300毫米氮化鎵制造能力，我們在推動規?；瘎撔路矫婢邆洫毺貎瀯?，能夠為客戶提供加速低碳化與數字化進程所需的性能、質量及成本優勢。”
該裁決是又一項積極的結果，進一步彰顯了英飛凌在氮化鎵技術領域所作貢獻的價值。在德國進行的相關訴訟中，英飛凌正在慕尼黑第一地方法院（Landgericht München I）就三項專利和一項實用新型專利的侵權問題提起訴訟。早在2024年8月，慕尼黑法院就已裁定英諾賽科侵犯了英飛凌指控的首項專利。另一項專利和一項實用新型專利的庭審將于2026年6月舉行。
英飛凌是氮化鎵市場領先的垂直整合器件制造商（IDM），擁有行業內最廣泛的知識產權組合，涵蓋約450個氮化鎵專利家族。氮化鎵在實現高性能、高能效的功率系統中起著關鍵作用，其應用范圍覆蓋可再生能源系統、人工智能數據中心、工業自動化以及電動汽車（EV）等領域。憑借更高的功率密度、更快的開關速度以及更低的能耗，氮化鎵半導體能支持更緊湊的設計，有效降低能耗和減少熱量產生。作為功率系統的領導者，英飛凌在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這三種關鍵半導體材料領域都處于行業領先地位，并持續推動技術進步。
