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Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲《今日電子》Top10 DC/DC電源產品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
2011-10-11
SiR662DP Vishay 功率MOSFET 電源產品
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開關電源的干擾分析及其抑制措施
開關電源本身產生的干擾直接危害著電子設備的正常工作抑制開關電源本身的電磁噪聲．是開發和設計開關電源的一個重要課題。簡要地對開關電源電磁干擾產生、傳播的機理進行了介紹，總結了幾種主要的抑制開關電源電磁干擾產生及傳播的方法。
2011-10-11
開關電源 干擾 抑制
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三相IGBT全橋隔離驅動電源設計
本文針對10 kW三相IGBT全橋變換器設計了一種隔離驅動電源，提供4路相互隔離的輸出，每路輸出均提供+15 V／-9 V電源。電源功率較小，考慮成本和效率，采用單端反激式結構。
2011-10-11
IGBT 全橋隔離 驅動電源 隔離驅動電源 變換器
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高壓功率VDMOSFET的設計與研制
隨著現代工藝水平的提高與新技術的開發完善，功率VDMOSFET設計研制朝著高壓、高頻、大電流方向發展，成為目前新型電力電子器件研究的重點。本文設計了漏源擊穿電壓為500 V，通態電流為8 A，導通電阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通過工藝仿真軟件TSUPREM-4和器件仿真軟件MEDICI進行聯合優化仿...
2011-10-11
VDMOSFET 高壓功率MOS管 MOSFET
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適用于各種類型硬開關功率轉換器的電能回收電路
本文論述一個新穎的簡單的適用于各種類型硬開關功率轉換器的電能回收電路，這個電路只需使用幾個元器件：一個微型線圈、兩個耦合輔助線圈和兩個優化的PN二極管。而且，這個電路完全兼容任何一種PWM控制器。
2011-10-11
功率因數校正 BC2 能量回收
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2015年平板貢獻半導體達200億美元
國際研調機構Gartner(顧能)近日舉辦半導體全球巡回論壇。半導體產業首席分析師李輔邦表示，平板電腦未來5年的平均年復合成長率達77%，并估計到2015年，平板電腦貢獻半導體業的營收將達200億美元。另外，他指出，ARM是智慧型手機和平板電腦崛起的最大贏家，估計未來5年仍能守穩80%市占率。
2011-10-11
ARM 平板 平板電腦 半導體業
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高性能氮化鎵晶體管研制成功
據悉，法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。科學家可據此研制出兼具CMOS芯片的計算能力和氮化鎵晶體管大功率容量的混合電子元件，以獲得更小更快、能耗更低的電子設備。
2011-10-11
氮化鎵晶體管 晶體管 電子元件
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OTAX Electronics榮獲2011中國市場電子元器件領軍廠商稱號
在近日剛剛結束的2011中國電子制造商采購行為調查暨中國市場電子元器件領軍廠商的評選活動中，OTAX Electronics憑借持續穩定的產品、技術和服務等多方面優勢，以及在工程師心目中形成的良好形象，一舉榮獲2011中國市場電子元器件（繼電器/開關/馬達類）領軍廠商稱號！
2011-10-10
電子元器件 領軍廠商 最具成長廠商 揭曉
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小型DC/DC開關電源的容性負載研究
在DC／DC開關電源的應用中，輸出負載端外接電容能起到濾波、抑制干擾的作用，在某些大容性負載動態跳變的設備中，要求電源輸出端有快速響應，這就要求開關電源有較強的帶容性負載的能力，并且有好的穩定性能。在開關電源的設計過程中，要充分理解并實現客戶負載使用的特殊要求，必須分析開關電源容...
2011-10-10
開關電源 容性負載 DC/DC
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