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1-10月規(guī)模以上電子信息制造業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售產(chǎn)值50589億元
隨著信息技術(shù)服務(wù)化趨勢的不斷發(fā)展,信息技術(shù)服務(wù)收入占軟件業(yè)比重逐步提高。1-10月,規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值增長17.7%,高于工業(yè)平均水平1.6個(gè)百分點(diǎn);實(shí)現(xiàn)銷售產(chǎn)值50589億元,增長25.9%;出口交貨值29651億元,增長28.4%,比2008年同期增長16.0%...
2010-11-26
電子信息制造業(yè) 家用視聽 軟件業(yè)務(wù) 嵌入式系統(tǒng)
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預(yù)計(jì)光伏材料近3年增速超40%
國際咨詢公司Frost & Sullivan發(fā)表研究報(bào)告認(rèn)為，未來一段時(shí)間光伏材料市場將快速增長，預(yù)計(jì)在2012年，光伏材料的市場總價(jià)值將達(dá)到32.5億美元，年增長率將達(dá)到43.6%，為近幾年內(nèi)最高。
2010-11-26
光伏材料 增長 太陽能
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Vishay榮獲2010中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司榮獲中電會(huì)展與信息傳播有限公司(CEEIC)頒發(fā)的“分立半導(dǎo)體類”2010中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商獎(jiǎng)(CMECMA)。
2010-11-26
Vishay 電子元器件 領(lǐng)軍廠商
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ST5540〡ST5541：日置最新發(fā)售漏電流測試儀
HIOKI（日置）公司于2010年11月中旬發(fā)售3156泄漏電流測試儀的代替品ST5540/5541。
2010-11-26
ST5540 ST5541 日置 漏電流測試儀
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迅達(dá)光電多款引擎亮相深圳電子消費(fèi)展
4月9日，為期三天的2010中國（深圳）消費(fèi)電子展暨第75屆中國電子展在會(huì)展中心隆重開幕。中國（深圳）消費(fèi)電子展重點(diǎn)關(guān)注互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的3c融合，包括音視頻產(chǎn)品、手機(jī)數(shù)碼和電腦等行業(yè)，以“數(shù)字技術(shù)，創(chuàng)新生活”為主題，以綠色節(jié)能為主線，以終端、內(nèi)容和用戶體驗(yàn)為三大核心展示要素，締造國際消費(fèi)電子...
2010-11-25
電子展
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羅湖展團(tuán)特色明顯亮點(diǎn)紛呈成果豐碩
在羅湖展區(qū)，有一項(xiàng)新技術(shù)特別引人注目，這便是深圳市海能通訊設(shè)備股份有限公司推出的3G無線視頻監(jiān)控技術(shù)。由于使用方便，操作簡單等特點(diǎn)，今后該技術(shù)無疑將成為長年在外人群的得力幫手。
2010-11-25
電子展
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PCIM-Asia 2011為電網(wǎng)配套設(shè)備提供參考
隨著現(xiàn)代化工程設(shè)施對電量需求的增加，以及電網(wǎng)設(shè)備的升級，用戶對大電流傳輸系統(tǒng)有了更高的要求。在輸電領(lǐng)域，母線已經(jīng)在很多場合開始取代傳統(tǒng)多路電纜。母線作為電力高速公路具有良好的穩(wěn)定性，散熱性，并且安裝簡便，避免了傳統(tǒng)施工中的諸多問題。
2010-11-25
電網(wǎng)配套設(shè)備 PCIM-Asia 2011 大電流傳輸 母線 傳統(tǒng)電纜
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技術(shù)型分銷商的成功之路
——訪中電器材深圳有限公司總經(jīng)理周繼國年銷售額13億人民幣、全球15個(gè)辦事處、代理十余條產(chǎn)品線、1000多家穩(wěn)定客戶——這就是中電器材深圳有限公司總經(jīng)理周繼國在接受采訪時(shí)擺在我們面前的一張公司經(jīng)營的“成績單”。這份業(yè)績在國內(nèi)本土元器件分銷商中間，算得上是一流的水平。而根據(jù)周繼國的回憶，在2000年左右，公司剛剛選定將電子元器件分...
2010-11-25
技術(shù)型分銷商 中電器材 電子元器件 “設(shè)計(jì)鏈
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超低壓雙電層晶體管研究獲得進(jìn)展
膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導(dǎo)體器件，在平板顯示、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。最近幾年，寬帶隙氧化物半導(dǎo)體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優(yōu)點(diǎn)，在薄膜晶體管領(lǐng)域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規(guī)SiO2柵介質(zhì)電容耦合較弱，當(dāng)前薄膜晶體管的典型...
2010-11-25
薄膜晶體管 半導(dǎo)體器件 階段性 突破
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